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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CSD17381F4
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CSD17381F4

更新时间： 2024-09-25 12:52:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 1100K
描述
30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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CSD17381F4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：PICOSTAR-3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.1Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 A最大漏极电流 (ID)：3.1 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：2.9 pFJESD-30 代码：R-XBGA-N3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD17381F4 数据手册

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CSD17381F4  
www.ti.com  
SLPS411A –APRIL 2013–REVISED JULY 2013  
30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD17381F4  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
V
2
•
•
•
•
Ultra Low On Resistance  
Ultra Low Qg and Qgd  
1040  
133  
pC  
pC  
Qgd  
Low Threshold Voltage  
VGS = 1.8V  
160  
110  
90  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS = 2.5V  
VGS = 4.5V  
mΩ  
Ultra Small Footprint (0402 Case Size)  
–
1.0 mm x 0.6 mm  
Ultra Low Profile  
0.35 mm Height  
Integrated ESD Protection Diode  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
0.85  
V
•
•
–
Text Added For Spacing  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD17381F4  
Qty  
Media  
Package  
Ship  
–
–
Rated > 4kV HBM  
Rated > 2kV CDM  
7-Inch  
Reel  
3,000  
Femto(0402) 1.0mm x  
0.6mm SMD Lead Less  
Tape and  
Reel  
•
•
Pb and Halogen Free  
RoHS Compliant  
13-Inch  
Reel  
CSD17381F4R 18,000  
Text Added For Spacing  
APPLICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
•
•
Optimized for Load Switch Applications  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
Optimized for General Purpose Switching  
Applications  
VDS  
VGS  
ID  
Drain to Source Voltage  
30  
Gate to Source Voltage  
12  
V
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
3.1  
10  
A
•
•
Single Cell Battery Applications  
Handheld and Mobile Applications  
IDM  
PD  
A
500  
4
mW  
kV  
kV  
Human Body Model (HBM)  
Charged Device Model (CDM)  
DESCRIPTION  
ESD  
Rating  
2
The FemtoFET™ MOSFET technology has been  
designed and optimized to minimize the footprint in  
many handheld and mobile applications. This  
technology is capable of replacing standard small  
signal MOSFETs while providing at least a 60%  
reduction in footprint size.  
TJ,  
TSTG  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
–55 to 150  
2.7  
°C  
Avalanche Energy, single pulse ID = 7.4A,  
L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 90°C/W on 1-inch2 (6.45-cm2), 2-oz. (0.071-  
mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
On Resistance vs. Gate Voltage  
160  
Top View  
TC = 25°C Id = 0.5A  
TC = 125ºC Id = 0.5A  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
D
80  
70  
G
S
60  
0
2
4
6
8
10  
12  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
FemtoFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
 
 
 
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CSD17381F4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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