是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SON-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 0.88 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 306924 | Samacsys Pin Count: | 8 |
Samacsys Part Category: | Transistor | Samacsys Package Category: | Other |
Samacsys Footprint Name: | CSD17313Q2 | Samacsys Released Date: | 2017-02-27 10:11:03 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 18 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.042 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 17 pF |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 17 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD17313Q2Q1 | TI |
完全替代 |
30V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD17307Q5A | TI |
功能相似 |
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD17301Q5A | TI |
功能相似 |
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD17313Q2_1010 | TI |
获取价格 |
30V N-Channel NexFET? Power MOSFET | |
CSD17313Q2Q1 | TI |
获取价格 |
30V N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD17313Q2T | TI |
获取价格 |
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD17318Q2 | TI |
获取价格 |
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET | |
CSD17318Q2T | TI |
获取价格 |
采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET | |
CSD17322Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD17327Q5A | TI |
获取价格 |
30V, N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD17381F4 | TI |
获取价格 |
30-V, N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD17381F4_16 | TI |
获取价格 |
30 V N-Channel FemtoFET MOSFET | |
CSD17381F4T | TI |
获取价格 |
30V, N ch NexFET MOSFET™, single LGA 1.0 x 0.6mm, 117mOhm 3-PICOSTAR -55 to 150 |