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CPH5804

更新时间： 2024-09-09 22:33:07
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描述
CPH5804

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CPH5804 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：1
端子数量：5工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CPH5804 数据手册

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注文コードNo. N 6 9 8 0  
No. N 6980  
62001  
新
M OSFET :P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ  
SBD :ショットキバリアダイオード  
CPH5804  
DC /DC コンバータ用  
特長 ・P チャネルM OS形電界効果トランジスタ（M CH3312)とショットキバリアダイオード（SBS006M ）を  
ꢀ1パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。  
・［M OS］1)低オン抵抗。ꢀ2)超高速スイッチング。ꢀ3)4V 駆動。  
・［SBD］1)逆回復時間が短い。ꢀ2)低順電圧。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
［M OSFET 部］  
ドレイン・ソース電圧  
unit  
V
V
V
－30  
DSS  
GSS  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流（DC）  
ドレイン電流（パルス）  
許容損失  
±20  
V
I
D
－2  
A
I
DP  
PW ≦10µs,dutycycle≦1%  
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )装着時1unit  
－8  
0.9  
A
P
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋125  
［SBD 部］  
繰り返しピーク逆電圧  
非繰り返しピーク逆サージ電圧V  
unit  
V
V
30  
RRM  
RSM  
30  
0.5  
V
平均整流電流  
サージ電流  
接合部温度  
保存周囲温度  
I
A
O
I
50Hz正弦波ꢀ1サイクル  
10  
A
FSM  
Tj  
Tstg  
－55～＋125  
－55～＋125  
℃
℃
単体品名表示：QE  
外形図ꢀ2171  
(unit:m m )  
2.9  
0.15  
5
4
3
2
0.05  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用途（生命維持装置、航空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
0.95  
0.4  
1:Cathode  
2:Drain  
3:Gate  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
4:Source  
5:Anode  
0.4  
SANYO :CPH5  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
62001TS IM ◎佐藤TA-3172 No.6980-1/5  
12345

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