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CPH5835

更新时间： 2024-09-09 21:53:55
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描述
CPH5835

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CPH5835 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.235 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：1
端子数量：5工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CPH5835 数据手册

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注文コードNo.N 8 2 0 7  
M OSFET :P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ  
SBD :ショットキバリアダイオード  
CPH5835  
汎用スイッチングデバイス  
特長  
・P チャネルM OS形電界効果トランジスタ(M CH3309)とショットキバリアダイオード(SBS010M )を1パッケージに  
内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。  
・［M OS］  
・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・低電圧駆動。  
・［SBD］  
・逆回復時間が短い。  
・低順電圧。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
[M OSFET 部]  
記号  
条件  
定格値  
unit  
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流（DC）  
ドレイン電流（パルス）  
許容損失  
V
V
－20  
V
V
DSS  
GSS  
±10  
－1.5  
I
D
A
I
DP  
PW ≦10µs,dutycycle≦1%  
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )装着時1unit  
－6.0  
A
P
0.9  
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋125  
[SBD 部]  
繰り返しピーク逆電圧  
非繰り返しピーク逆サージ電圧  
平均整流電流  
V
V
15  
V
V
RRM  
RSM  
15  
I
O
2
10  
A
サージ電流  
I
50Hz正弦波ꢀ1サイクル  
A
FSM  
Tj  
Tstg  
接合部温度  
－55～＋125  
－55～＋125  
℃
℃
保存周囲温度  
単体品名表示：XM  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
12805PE TS IM ◎川浦TB-00001006  
No.8207-1/5  
12345

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