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CPH5813

更新时间： 2024-09-09 23:14:31

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CPH5813

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CPH5813 数据手册

注文コードNo. N 7 4 6 8

CPH5813

No. ^{N 7468}

32803

新

M OSFET :P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ

SBD :ショットキバリアダイオード

CPH5813

特長・P チャネルM OS形電界効果トランジスタ（M CH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M ）を

DC /DC コンバータ用

ꢀ1パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。

・[M OS] 1)低オン抵抗。

2)超高速スイッチング。 3)1.8V 駆動。

・[SBD] 1)逆回復時間が短い。 2)低順電圧。

絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃

[M OSFET 部]

unit

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

ドレイン電流（DC）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

－12

DSS

GSS

±10

－2

PW ≦10µs,dutycycle≦1%

セラミック基板(600m m ²×0.8m m )装着時1unit

－8

0.9

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

－55～＋125

[SBD 部]

unit

繰り返しピーク逆電圧

RRM

RSM

非繰り返しピーク逆サージ電圧V

平均整流電流

サージ電流

接合部温度

50Hz正弦波ꢀ1サイクル

FSM

Tstg

－55～＋125

℃

保存周囲温度

単体品名表示：QP

電気的接続図

1:Cathode

2:Drain

3:Gate

4:Source

5:Anode

外形図ꢀ2171

(unit:m m )

2.9

0.15

(Top view)

0.05

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を

要する用途（生命維持装置、航空機のコント

ロールシステム等、多大な人的・物的損害

を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に

はなっておりません。そのような場合には、

あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下

さい。

0.95

0.4

1:Cathode

2:Drain

3:Gate

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲

等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果

発生した機器の欠陥について、弊社は責任

を負いません。

4:Source

5:Anode

0.4

SANYO :CPH5

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

32808TS IM ◎佐藤TA-3804No.7468-1/5

12 3 4 5

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