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CPH5810

更新时间: 2024-09-09 21:54:51
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三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
CPH5810

CPH5810 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数:5Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.38
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.145 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G5元件数量:1
端子数量:5工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.9 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

CPH5810 数据手册

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注文コーNo.N 8 2 0 6  
M OSFET :P ャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
SBD :ショットキバリアダイオード  
CPH5810  
汎用スイッチングデバイス  
特長  
PャネM OS電界効果トランジスM CH3312ショットキバリアダイオーSBS0011ッケージ  
ꢀに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。  
M OS]  
・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
SBD]  
・逆回復時間が短い。  
・低順電圧。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
[M OSFET ]  
記号  
条件  
定格値  
unit  
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電DC)  
ドレイン電パルス)  
許容損失  
V
V
30  
V
V
DSS  
GSS  
±20  
I
D
-2  
A
I
DP  
PW 10µs,dutycycle1%  
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )1unit  
-8  
0.9  
A
P
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55125  
[SBD ]  
繰り返しピーク逆電圧  
非繰り返しピーク逆サージ電圧  
平均整流電流  
V
V
11  
V
V
RRM  
RSM  
15  
500  
I
O
m A  
A
サージ順電流  
I
50Hz弦波ꢀ1イクル  
5
FSM  
Tj  
Tstg  
接合部温度  
55125  
55125  
保存周囲温度  
単体品名表示:QL  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用生命維持装置空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
12805PE TS IM TA-100105  
No.8206-1/5  

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