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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> CMUT5179
CMUT5179 PDF预览

CMUT5179

更新时间： 2024-09-14 22:28:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
ULTRAmini. SURFACE MOUNT NPN SILICON RF TRANSISTOR

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CMUT5179 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.15Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1450 MHz
Base Number Matches：1

CMUT5179 数据手册

 浏览型号CMUT5179的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMUT5179  
Central  
Semiconductor Corp.  
ULTRAmini™  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON  
DESCRIPTION:  
RF TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5179  
type is an NPN silicon RF transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in an ULTRAmini™ surface mount  
package, designed for low noise, high frequency  
amplifier and high output oscillator applications.  
Marking code is HC7.  
SOT-523 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
20  
15  
2.5  
50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
mA  
mW  
I
P
C
D
Power Dissipation  
250  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
500  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:  
(T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=15V  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
20  
nA  
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CEO  
CB  
I =10µA  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
f
C
h
20  
15  
2.5  
C
I =3.0mA  
C
I =10µA  
EBO  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.4  
1.0  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
T
cb  
fe  
C
C
B
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
V
=1.0V, I =3.0mA  
25  
900  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=6.0V, I =5.0mA, f=100MHz  
1450  
MHz  
pF  
C
=10V, I =0, f=0.1 to 1.0MHz  
1.0  
E
=6.0V, I =2.0, f=1.0kHz  
25  
C
G
=6.0V, I =5.0mA, f=200MHz  
15  
4.5  
dB  
dB  
pe  
C
C
NF  
=6.0V, I =1.5mA, R =50Ω, f=200MHz  
S
R0 ( 15-August 2001)  
12

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CMUT5179 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3837KT146P ROHM

功能相似

 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic

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