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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMUT5401E
CMUT5401E PDF预览

CMUT5401E

更新时间： 2024-09-16 09:27:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 349K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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CMUT5401E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：220 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMUT5401E 数据手册

 浏览型号CMUT5401E的Datasheet PDF文件第2页 
CMUT5401E  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401E is a  
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-523 case,  
designed for general purpose amplifier applications  
requiring high breakdown voltage and small space  
saving packaging.  
MARKING CODE: 4C5  
FEATURES:  
SOT-523 CASE  
• High Collector Breakdown Voltage 250V  
• Low Leakage Current 50nA Max  
• Low Saturation Voltage 150mV Max @ 50mA  
• Complementary Device CMUT5551E  
• SOT-523 Surface Mount Package  
APPLICATIONS:  
• General purpose switching and amplification  
• Telephone applications  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
♦
Collector-Base Voltage  
V
V
V
250  
220  
CBO  
CEO  
EBO  
♦ Collector-Emitter Voltage  
♦ Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
7.0  
V
I
600  
mA  
mW  
°C  
C
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
500  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
=3.0V  
50  
50  
♦ BV  
I =100µA  
250  
220  
7.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
♦ BV  
I =1.0mA  
C
V
♦
BV  
I =10µA  
V
E
♦ V  
I =10mA, I =1.0mA  
100  
150  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
♦ V  
V
I =50mA, I =5.0mA  
C B  
I =10mA, I =1.0mA  
1.00  
1.00  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
♦ Enhanced Specification  
R1 (9-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMUT5401EBK CENTRAL

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