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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMUT5401LEADFREE
CMUT5401LEADFREE PDF预览

CMUT5401LEADFREE

更新时间： 2024-12-01 13:07:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ULTRAMINI-3

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CMUT5401LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.29Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMUT5401LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMUT5401LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMUT5401  
Semiconductor Corp.  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401  
type is a PNP silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for high  
voltage amplifier applications.  
MARKING CODE: 54C  
SOT-523 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
160  
150  
5.0  
500  
250  
V
V
V
mA  
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
P
D
T ,T  
stg  
-65 to +150  
500  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=100V  
=100V, T =150°C  
50  
50  
nA  
µA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
A
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
I =100µA  
160  
150  
5.0  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
EBO  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
fe  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =10mA  
=5.0V, I =50mA  
=10V, I =10mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
=5.0V, I =200µA, R =10Ω  
50  
60  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
C
C
C
V
V
V
V
V
V
240  
f
C
h
NF  
100  
300  
6.0  
200  
8.0  
MHz  
pF  
C
40  
C
dB  
C
S
f=10Hz to 15.7kHz  
R0 (28-October 2004)  
12

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