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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMUT5551LEADFREE
CMUT5551LEADFREE PDF预览

CMUT5551LEADFREE

更新时间： 2024-11-06 12:59:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, ULTRAMINI-3

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CMUT5551LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.23Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMUT5551LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMUT5551LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMUT5551  
Semiconductor Corp.  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551  
type is an NPN silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for high  
voltage amplifier applications.  
MARKING CODE: 55C  
SOT-523 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
180  
160  
6.0  
600  
250  
V
V
V
mA  
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
P
D
T ,T  
stg  
-65 to +150  
500  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
50  
UNITS  
I
I
V
V
=120V  
=120V, T =100°C  
nA  
µA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CB  
CB  
A
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
FE  
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
300  
6.0  
200  
8.0  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
ob  
fe  
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
=5.0V, I =200µA, R =10Ω  
50  
C
C
NF  
dB  
S
f=10Hz to 15.7kHz  
R0 (28-October 2004)  
12

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