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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMUT5551E
CMUT5551E PDF预览

CMUT5551E

更新时间： 2024-11-06 03:26:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 144K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

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CMUT5551E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：220 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMUT5551E 数据手册

 浏览型号CMUT5551E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMUT5551E  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551E  
is an NPN Silicon Transistor, packaged in an  
SOT-523 case, designed for general purpose  
amplifier applications requiring high breakdown  
voltage and small space saving packaging.  
MARKING CODE: 5C1  
FEATURES:  
SOT-523 CASE  
• High Collector Breakdown Voltage 250V  
• Low Leakage Current 50nA Max  
• Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA  
• Complementary Device CMUT5401E  
• SOT-523 Surface Mount Package  
APPLICATIONS:  
• General purpose switching and amplification  
• Telephone applications  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
250  
220  
6.0  
V
♦
♦
CBO  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
600  
250  
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J
-65 to +150  
500  
°C  
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
V
V
=120V  
50  
50  
50  
nA  
μA  
nA  
V
CBO  
CB  
CB  
EB  
I
=120V, T =100°C  
A
=4.0V  
CBO  
I
EBO  
BV  
I =100μA  
250  
220  
6.0  
♦
♦
CBO  
C
BV  
I =1.0mA  
V
CEO  
C
BV  
I =10μA  
V
EBO  
E
V
I =10mA, I =1.0mA  
75  
mV  
mV  
V
♦
♦
CE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
100  
1.00  
1.00  
CE(SAT)  
C
B
V
I =10mA, I =1.0mA  
BE(SAT)  
C B  
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
Enhanced Specification  
♦
R0 (10-May 2006)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMUT5551EBK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAM
CMUT5551EBKLEADFREE CENTRAL

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