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CMUT5401BK PDF预览

CMUT5401BK

更新时间： 2024-11-06 20:09:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 342K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ULTRAMINI-3

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CMUT5401BK 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.29最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMUT5401BK 数据手册

 浏览型号CMUT5401BK的Datasheet PDF文件第2页 
CMUT5401  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401  
type is a PNP silicon transistor manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for high voltage amplifier  
applications.  
MARKING CODE: 54C  
SOT-523 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
160  
150  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
mA  
mW  
°C  
C
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
500  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
=3.0V  
50  
50  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
160  
150  
5.0  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10μA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
50  
60  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
240  
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
50  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
300  
6.0  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
ob  
E
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
40  
200  
fe  
C
N
=5.0V, I =250μA, R =1.0kΩ,  
F
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
8.0  
dB  
R2 (9-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMUT5401BKLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
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