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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT5089
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CMPT5089

更新时间： 2024-11-07 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS

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CMPT5089 数据手册

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TM  
CMPT5088  
CMPT5089  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5088,  
CMPT5089 types are NPN silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for small signal general purpose and  
switching applications. Marking Codes are C1Q,  
C1R respectively.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS: (T =25 C)  
A
SYMBOL  
CMPT5088  
CMPT5089  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
35  
30  
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
V
4.5  
50  
V
mA  
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
C
J
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CMPT5088  
CMPT5089  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=20V  
=15V  
=3.0V  
=4.5V  
50  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
EB  
50  
nA  
nA  
nA  
V
V
V
50  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
35  
30  
4.5  
30  
25  
4.5  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
C
I =100µA  
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
900  
0.5  
0.8  
1200  
V
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
C
B
B
I =10mA, I =1.0mA  
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
300  
350  
300  
50  
400  
450  
400  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
FE  
FE  
T
=5.0V, I =10mA  
C
f
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
MHz  
pF  
pF  
C
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
1400  
4.0  
15  
1800  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
h
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
350  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
3.0  
2.0  
dB  
R4 ( 2 -October 2001)  
12

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CMPT5089 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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