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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT5089TR
CMPT5089TR PDF预览

CMPT5089TR

更新时间： 2024-09-21 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 325K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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CMPT5089TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.15
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：4 pF集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

CMPT5089TR 数据手册

 浏览型号CMPT5089TR的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT5088  
CMPT5089  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5088 and  
CMPT5089 are NPN silicon transistors manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for small signal  
general purpose and switching applications.  
MARKING CODES: CMPT5088: C1Q  
CMPT5089: C1R  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
CMPT5088  
CMPT5089  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
35  
30  
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
4.5  
50  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPT5088  
MIN MAX  
CMPT5089  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
-
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=20V  
=15V  
=3.0V  
=4.5V  
-
-
50  
-
-
nA  
nA  
nA  
nA  
V
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
EB  
-
50  
-
50  
-
-
-
-
-
100  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
35  
30  
4.5  
-
-
30  
25  
4.5  
-
-
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
-
-
-
V
C
I =100μA  
-
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
900  
-
0.5  
0.8  
1200  
-
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
300  
350  
300  
50  
-
400  
450  
400  
50  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
FE  
C
=5.0V, I =10mA  
-
-
FE  
C
f
=5.0V, I =500μA, f=20MHz  
-
-
MHz  
pF  
T
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
4.0  
15  
1800  
ob  
ib  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
C
h
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
350 1400  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100μA, R =10kΩ,  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
-
3.0  
-
2.0  
dB  
R7 (9-September 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT5089TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT5089TR13LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT5089TRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT5089TRPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT5179 CENTRAL

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 		NPN SILICON RF TRANSISTOR
CMPT5179_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON RF TRANSISTOR
CMPT5179BK CENTRAL

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
CMPT5179BKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT5179LEADFREE CENTRAL

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
CMPT5179TR CENTRAL

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