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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> CMPT5179TRLEADFREE
CMPT5179TRLEADFREE PDF预览

CMPT5179TRLEADFREE

更新时间： 2024-11-08 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

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CMPT5179TRLEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
最小功率增益 (Gp)：15 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1450 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

CMPT5179TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT5179TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CMPT5179  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NPN SILICON RF TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMPT5179typeisanNPNsiliconRFtransistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for low noise, high frequency  
amplifier and high output oscillator  
applications.  
Marking code is C7H.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
20  
12  
2.5  
50  
V
V
V
mA  
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
C
Power Dissipation  
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=15V  
MIN  
TYP  
MAX  
20  
UNITS  
nA  
V
I
V
CBO  
CB  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
f
C
I =10µA  
20  
12  
2.5  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
T
cb  
C
I =3.0mA  
V
V
V
V
C
I =10µA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.4  
1.0  
C
C
B
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
=1.0V, I =3.0mA  
25  
900  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=6.0V, I =5.0mA, f=100MHz  
C
1450  
MHz  
pF  
=10V, I =0, f=0.1 to 1.0MHz  
1.0  
4.5  
E
h
G
=6.0V, I =2.0, f=1.0kHz  
C
25  
15  
fe  
pe  
=6.0V, I =5.0mA, f=200MHz  
dB  
dB  
C
NF  
=6.0V, I =1.5mA, R =50Ω, f=200MHz  
C
S
182  
12

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