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CMPT5551E PDF预览

CMPT5551E

更新时间： 2024-11-08 04:12:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

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CMPT5551E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：220 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMPT5551E 数据手册

 浏览型号CMPT5551E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPT5551E  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E  
is an NPN Silicon Transistor, packaged in an  
SOT-23 case, designed for general purpose  
amplifier applications requiring high breakdown  
voltage and small space saving packaging.  
MARKING CODE: C555  
FEATURES:  
SOT-23 CASE  
• High Collector Breakdown Voltage 250V  
• Low Leakage Current 50nA Max  
• Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA  
• Complementary Device CMPT5401E  
• SOT-23 Surface Mount Package  
APPLICATIONS:  
• General purpose switching and amplification  
• Telephone applications  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
250  
220  
6.0  
V
♦
♦
CBO  
V
V
CEO  
V
V
EBO  
I
600  
350  
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J
-65 to +150  
357  
°C  
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
V
V
=120V  
50  
50  
50  
nA  
μA  
nA  
V
CBO  
CB  
CB  
EB  
I
=120V, T =100°C  
A
=4.0V  
CBO  
I
EBO  
BV  
I =100μA  
250  
220  
6.0  
♦
♦
CBO  
C
BV  
I =1.0mA  
V
CEO  
C
BV  
I =10μA  
V
EBO  
E
V
I =10mA, I =1.0mA  
75  
mV  
mV  
V
♦
♦
CE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
100  
1.00  
1.00  
CE(SAT)  
C
B
V
I =10mA, I =1.0mA  
BE(SAT)  
C B  
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
Enhanced Specification  
♦
R0 (10-May 2006)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT5551EBK CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT5551ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
CMPT5551HC CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR
CMPT5551HC_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
CMPT5551HCBK CENTRAL

获取价格

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CMPT5551HCBKLEADFREE CENTRAL

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