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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.12 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPT5551TRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| CMPT5551TRPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CMPT591 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT591E | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT591E_10 | CENTRAL |
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ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT591EBK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 |
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| CMPT591ETR13LEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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| CMPT6427 | CENTRAL |
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NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
|
| CMPT6427_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
|
| CMPT6427BK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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