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CMPT6427LEADFREE PDF预览

CMPT6427LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 21:16:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 323K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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CMPT6427LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

CMPT6427LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT6427LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT6427  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON  
DARLINGTON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT6427 type  
is a NPN silicon darlington transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for applications requiring  
extremely high gain.  
MARKING CODE: C1V  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
12  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
stg  
Θ
-65 to +150  
357  
J
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
=25V  
=10V  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CE  
BE  
1.0  
50  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
40  
40  
12  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10μA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =50mA, I =0.5mA  
1.20  
1.50  
2.00  
1.75  
100K  
200K  
140K  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =500mA, I =0.5mA  
V
C
B
I =500mA, I =0.5mA  
V
C
B
V
=5.0V, I =50mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
10K  
20K  
14K  
130  
C
=5.0V, I =100mA  
FE  
C
=5.0V, I =500mA  
FE  
C
f
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
15  
ob  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
ib  
C
NF  
=5.0V, I =1.0mA, R =100kΩ,  
C S  
f=1.0kHz to 15.7kHz  
10  
dB  
R6 (1-February 2010)  
12

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