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CMPT591ETR13LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 19:45:55
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CENTRAL /
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2页 391K
描述
Transistor

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CMPT591ETR13LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：1 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：200
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

CMPT591ETR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT591ETR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT591E  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT591E type is  
an Enhanced version of the industry standard 591 PNP  
silicon transistor. This device is manufactured by the  
epitaxial planar process and epoxy molded in an  
SOT-23 surface mount package. The CMPT591E  
features Low V  
designed for high current general purpose amplifier  
applications.  
, high h  
and has been  
CE(SAT)  
FE,  
MARKING CODE: C59  
SOT-23 CASE  
COMPLEMENTARY TYPE: CMPT491E  
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:  
♦ V  
@ 1.0A = 0.6V MAX (from 0.4V MAX)  
CE(SAT)  
♦ h @ 500mA = 200 MIN (from 100 MIN)  
FE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
mA  
A
mW  
°C  
A
V
V
V
80  
60  
5.0  
1.0  
200  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
C
I
B
I
2.0  
350  
CM  
P
D
T , T  
stg  
-65 to +150  
357  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
=4.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
I =100µA  
80  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
E
I =500mA, I =50mA  
0.20  
0.40  
1.1  
♦
♦
♦
C
C
B
V
V
V
h
I =1.0A, I =100mA  
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
V
=5.0V, I =1.0A  
1.0  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
=5.0V, I =500mA  
200  
200  
50  
15  
150  
♦
♦
FE  
FE  
FE  
FE  
h
h
h
600  
C
=5.0V, I =1.0A  
C
=5.0V, I =2.0A  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
E
C
10  
ob  
♦ Enhanced specification  
R3 (27-January 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT6427 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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 		Transistor,
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