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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT6429TRLEADFREE
CMPT6429TRLEADFREE PDF预览

CMPT6429TRLEADFREE

更新时间： 2024-09-21 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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CMPT6429TRLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.2 A
基于收集器的最大容量：3 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

CMPT6429TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT6429TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CMPT6428  
CMPT6429  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPT6428,CMPT6429typesareNPNSilicon  
Transistors manufactured by the epitaxial  
planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for high gain  
amplifier applications.  
Marking Codes are C1K and C1L  
Respectively.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
CMPT6428  
CMPT6429  
UNITS  
V
V
V
mA  
mW  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
50  
55  
45  
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
200  
350  
I
P
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
J stg  
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
CMPT6428  
CMPT6429  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
10  
100  
10  
60  
50  
0.20  
0.60  
0.66  
MIN  
MAX  
10  
100  
10  
55  
45  
0.20  
0.60  
0.66  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V  
=5.0V  
CBO  
CEO  
EBO  
CBO  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
FE  
FE  
CB  
CE  
BE  
BV  
BV  
V
V
V
h
h
h
I =100µA  
C
I =1.0mA  
V
V
V
V
C
I =10mA, I =0.5mA  
C
B
B
C
I =100mA, I =5.0mA  
C
V
=5.0V, I =1.0mA  
0.56  
250  
250  
250  
250  
0.56  
500  
500  
500  
500  
100  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10µA  
C
=5.0V, I =100µA  
650  
700  
1250  
700  
C
=5.0V, I =1.0mA  
C
h
f
=5.0V, I =10mA  
C
FE  
=5.0V, I =1.0mA, f=100MHz 100  
MHz  
T
C
190  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT651 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR
CMPT6517 CENTRAL

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CMPT6517BKLEADFREE CENTRAL

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CMPT6517BKPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT6517LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT6517TIN/LEAD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT6517TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT6517TR13LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT6517TRLEADFREE CENTRAL

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