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Datasheet > 暂无类别数据> CMPT6427
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CMPT6427

更新时间： 2024-09-20 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

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CMPT6427 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
Base Number Matches：1

CMPT6427 数据手册

 浏览型号CMPT6427的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CMPT6427  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NPN SILICON  
DARLINGTON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMPT6427 type is a NPN Silicon Darlington  
Transistors manufactured by the epitaxial  
planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for applications  
requiring extremely high gain.  
Marking Code is C1V.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
40  
40  
12  
500  
350  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
J stg  
o
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
1.0  
50  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=30V  
=25V  
=10V  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
FE  
FE  
CB  
CE  
BE  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
I =100µA  
40  
40  
12  
C
I =10mA  
C
I =10µA  
E
I =50mA, I =0.5mA  
1.20  
1.50  
2.00  
1.75  
100K  
200K  
140K  
C
B
B
B
C
I =500mA, I =0.5mA  
C
I =500mA, I =0.5mA  
C
V
=5.0V, I =50mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
10K  
20K  
14K  
130  
h
h
f
=5.0V, I =100mA  
C
=5.0V, I =500mA  
C
=5.0V, IC=10mA, f=100MHz  
MHz  
T
188  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT6427_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CMPT6427BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT6427BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT6427BKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT6427LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
CMPT6427TR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT6427TR13LEADFREE CENTRAL

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CMPT6427TRLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT6428 CENTRAL

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