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CMPT6517

更新时间： 2024-09-21 04:12:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

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CMPT6517 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.17最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

CMPT6517 数据手册

 浏览型号CMPT6517的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPT6517 NPN  
CMPT6520 PNP  
Semiconductor Corp.  
COMPLEMENTARY SILICON  
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT6517,  
CMPT6520 types are complementary silicon  
transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a surface mount  
package, designed for high voltage driver and  
amplifier applications.  
MARKING CODE:  
CMPT6517: C1Z  
CMPT6520: C2Z  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Base Current  
V
V
V
350  
350  
5.0  
500  
250  
350  
V
V
V
mA  
mA  
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
B
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=250V  
50  
nA  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
EB  
EB  
=5.0V (CMPT6517)  
=4.0V (CMPT6520)  
I =100µA  
50  
50  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
BV  
BV  
BV  
BV  
350  
350  
6.0  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA (CMPT6517)  
E
I =10µA (CMPT6520)  
EBO  
E
V
V
V
V
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.30  
0.35  
0.50  
1.0  
0.75  
0.85  
0.90  
2.0  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
B
B
B
B
B
I =20mA, I =2.0mA  
C
I =30mA, I =3.0mA  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
I =20mA, I =2.0mA  
C
I =30mA, I =3.0mA  
C
I =10V, I =100mA  
V
C
C
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
20  
30  
CE  
CE  
C
V
=10V, I =10mA  
C
FE  
R4 (26-September 2002)  
12

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CMPT6517 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CMPT6517BKLEADFREE CENTRAL

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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CMPT6517PBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT6517TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT6517TR13 CENTRAL

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CMPT6520 CENTRAL

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