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Datasheet > CMPT7090LLEADFREE
CMPT7090LLEADFREE PDF预览

CMPT7090LLEADFREE

更新时间： 2024-09-21 19:49:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 458K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER23, 3 PIN

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CMPT7090LLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.4最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMPT7090LLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT7090LLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT7090L  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
LOW V  
PNP  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7090L is  
a Low V PNP Silicon Transistor in a space  
saving Power SOT-23 surface mount package,  
designed for DC-DC converters for mobile systems  
and LAN cards, motor control, power management and  
strobe flash units.  
CE(SAT)  
SILICON POWER TRANSISTOR  
CE(SAT)  
MARKING CODE: 709L  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
50  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
3.0  
A
C
I
6.0  
A
CM  
Power Dissipation  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
100  
10  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=30V, T =100°C  
A
=4.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
50  
40  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =100µA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =500mA, I =5.0mA  
100  
175  
250  
0.8  
250  
450  
750  
1.0  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =1.0A, I =10mA  
C
B
I =2.0A, I =50mA  
C
B
I =1.0A, I =10mA  
C
B
h
h
h
h
V
=2.0V, I =10mA  
300  
250  
200  
150  
100  
800  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=2.0V, I =500mA  
FE  
C
=2.0V, I =1.0A  
FE  
C
=2.0V, I =2.0A  
FE  
C
f
=5.0V, I =50mA, f=50MHz  
MHz  
T
C
R2 (1-February 2010)  
12

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