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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT7410LEADFREE
CMPT7410LEADFREE PDF预览

CMPT7410LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT7410LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.24Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMPT7410LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT7410LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT7410  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7410 type is  
a PNP Low V silicon transistor manufactured  
LOW V  
TRANSISTOR  
CE (SAT)  
CE (SAT)  
by the epitaxial planar process and epoxy molded in an  
SOT-23 surface mount package. This device is  
designed for battery driven, handheld devices  
requireing high current and Low V  
voltages.  
CE(SAT)  
MARKING CODE: C741  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
40  
25  
6.0  
1.0  
1.5  
350  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
A
C
A
CM  
D
P
mW  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
I
I
V
V
=40V  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
EB  
=6.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
40  
25  
C
I =10mA  
V
C
I =100µA  
6.0  
V
E
V
V
V
V
V
V
V
V
h
h
h
h
I =50mA, I =5.0mA  
25  
40  
80  
150  
220  
275  
50  
75  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =100mA, I =10mA  
C
B
I =200mA, I =20mA  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
C
B
I =500mA, I =50mA  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
V
=1.0V, I =10mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =10mA  
100  
100  
100  
50  
C
=1.0V, I =100mA  
300  
FE  
C
=1.0V, I =500mA  
FE  
C
=1.0V, I =1.0A  
FE  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
15  
ob  
E
R0 (12-November 2004)  
12

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