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CMPT651LEADFREE PDF预览

CMPT651LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 19:55:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT651LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.4最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：75 MHz
Base Number Matches：1

CMPT651LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT651LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPT651  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN HIGH CURRENT  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT651  
type is a high current NPN Silicon Transistor,  
epoxy molded in a space saving Power SOT-23  
surface mount package, designed for high  
current applications.  
MARKING CODE: C651  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
80  
60  
5.0  
2.0  
350  
V
V
V
A
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
P
D
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
I
I
V
V
=80V  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
=4.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
80  
60  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
I =0.5A, I =50mA  
100  
200  
400  
1.2  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =2.0A, I =200mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
V
=2.0V, I =1.0A  
1.0  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
h
h
V
V
V
V
V
=2.0V, I =50mA  
75  
100  
75  
C
=2.0V, I =500mA  
300  
FE  
C
=2.0V, I =1.0A  
FE  
C
=2.0V, I =2.0A  
40  
FE  
C
f
=5.0V, I =50mA, f=100MHz  
75  
MHz  
T
C
R1 (13-November 2002)  
12

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