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CMPT751

更新时间： 2024-11-07 22:50:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
SURFACE MOUNT PNP HIGH CURRENT TRANSISTOR

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CMPT751 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.46最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHz

CMPT751 数据手册

 浏览型号CMPT751的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPT751  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
PNP HIGH CURRENT TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT751  
type is a high current PNP Silicon Transistor,  
epoxy molded in a space saving Power SOT-23F  
surface mount package, designed for high current  
applications.  
Marking code is C751.  
SOT-23F CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
80  
60  
5.0  
2.0  
350  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
A
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
V
V
mV  
mV  
mV  
V
I
I
V
V
=80V  
=4.0V  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
80  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =10mA  
C
I =10µA  
E
V
V
V
V
V
I =0.5A, I =50mA  
150  
200  
400  
1.2  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
B
B
I =1.0A, I =100mA  
C
I =2.0A, I =200mA  
C
I =1.0A, I =100mA  
C
V
=2.0V, I =1.0A  
1.0  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
h
h
V
V
V
V
V
=2.0V, I =50mA  
75  
100  
75  
40  
75  
C
=2.0V, I =500mA  
300  
FE  
FE  
FE  
C
=2.0V, I =1.0A  
C
=2.0V, I =2.0A  
C
f
=5.0V, I =50mA, f=100MHz  
MHz  
T
C
R0 ( 03-January 2002)  
12

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