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Datasheet > CMPT5551HCBK
CMPT5551HCBK PDF预览

CMPT5551HCBK

更新时间： 2024-09-21 15:29:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 321K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT5551HCBK 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.19最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMPT5551HCBK 数据手册

 浏览型号CMPT5551HCBK的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT5551HC  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
HIGH CURRENT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551HC  
type is a high current NPN silicon transistor  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a surface mount package, designed for high  
voltage and high current amplifier applications.  
MARKING CODE: 1FHC  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
180  
160  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
1.0  
A
C
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
50  
50  
50  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
=4.0V  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =1.0A  
10  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
15  
ob  
R1 (1-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT5551HCBKLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CMPT5551HCBKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT5551HCLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5551HCTR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5551HCTR13LEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CMPT5551HCTR13PBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT5551LEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT5551PBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMPT5551TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT5551TR13LEADFREE CENTRAL

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