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CMPT5551ETR PDF预览

CMPT5551ETR

更新时间： 2024-11-08 19:49:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 329K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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CMPT5551ETR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.67
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：220 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMPT5551ETR 数据手册

 浏览型号CMPT5551ETR的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT5551E  
www.centralsemi.com  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an  
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case,  
designed for general purpose amplifier applications  
requiring high breakdown voltage and small space  
saving packaging.  
MARKING CODE: C555  
FEATURES:  
• High Collector Breakdown Voltage 250V  
• Low Leakage Current 50nA Max  
• Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA  
SOT-23 CASE  
APPLICATIONS:  
• General purpose switching and amplification • Complementary Device CMPT5401E  
• Telephone applications  
• SOT-23 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
♦Collector-Base Voltage  
V
V
250  
220  
CBO  
CEO  
Collector-Emitter Voltage  
V
♦
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
V
EBO  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
50  
A
=4.0V  
50  
♦
BV  
I =100µA  
250  
220  
6.0  
CBO  
C
♦BV  
I =1.0mA  
C
V
CEO  
♦BVVEBO  
I =10mA, I =1.0mA  
75  
mV  
mV  
V
I =10μA  
V
E
CE(SAT)  
C
B
♦V  
V
I =50mA, I =5.0mA  
100  
1.00  
1.00  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
♦
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
120  
120  
75  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
♦h  
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
300  
FE  
♦
h
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
♦h  
=10V, I =150mA  
C
25  
FE  
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
300  
MHz  
T
C
♦ Enhanced specification  
R1 (1-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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