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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT5401
CMPT5401 PDF预览

CMPT5401

更新时间： 2024-09-20 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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CMPT5401 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMPT5401 数据手册

 浏览型号CMPT5401的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CMPT5401  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPT5401 type is an PNP silicon transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designedforhighvoltageamplifierapplications.  
Marking Code is C2L.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
160  
150  
5.0  
500  
350  
V
V
V
mA  
mW  
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
50  
UNITS  
I
I
V
V
=100V  
=100V, T =150 C  
nA  
µA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
T
CB  
CB  
o
A
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
f
C
I =100µA  
160  
150  
5.0  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
V
=5.0V, I =1.0mA  
50  
60  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
240  
=5.0V, I =50mA  
C
=10V, I =10mA, f=100MHz  
C
100  
300  
6.0  
MHz  
pF  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
ob  
E
184  
12

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