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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPT5401TR13LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| CMPT5551 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT5551_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT5551BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| CMPT5551BKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
|
| CMPT5551E | CENTRAL |
获取价格 |
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT5551EBK | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CMPT5551ETR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C |
|
| CMPT5551HC | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR |
|
| CMPT5551HC_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
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