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CMPT5179LEADFREE PDF预览

CMPT5179LEADFREE

更新时间： 2024-09-21 19:58:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 323K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

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CMPT5179LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1450 MHzBase Number Matches：1

CMPT5179LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPT5179LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT5179  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON RF TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type  
is an NPN silicon RF transistor manufactured by the  
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface  
mount package, designed for low noise, high frequency  
amplifier and high output oscillator applications.  
MARKING CODE: C7H  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
20  
15  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
2.5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=15V  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
20  
nA  
V
CBO  
CB  
I =10μA  
BV  
BV  
BV  
20  
15  
CBO  
CEO  
C
I =3.0mA  
V
C
I =10μA  
2.5  
V
EBO  
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.4  
1.0  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
V
=1.0V, I =3.0mA  
25  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
CE  
C
f
V
V
V
V
V
=6.0V, I =5.0mA, f=100MHz  
900  
1450  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
1.0  
cb  
fe  
E
h
=6.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
25  
C
G
=6.0V, I =5.0mA, f=200MHz  
15  
dB  
dB  
pe  
NF  
C
=6.0V, I =1.5mA, R =50Ω, f=200MHz  
4.5  
C
S
R6 (1-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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