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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 15 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1450 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPT5179BKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CMPT5179LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| CMPT5179TR | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| CMPT5179TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| CMPT5179TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| CMPT5401 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT5401_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| CMPT5401E | CENTRAL |
获取价格 |
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| CMPT5401EBK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C |
|
| CMPT5401EBKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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