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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> CMLT5088EMBKLEADFREE
CMLT5088EMBKLEADFREE PDF预览

CMLT5088EMBKLEADFREE

更新时间： 2024-09-09 13:02:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Transistor

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CMLT5088EMBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMLT5088EMBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMLT5088EMBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT5078E NPN/PNP  
CMLT5087E PNP/PNP  
CMLT5088E NPN/NPN  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
PICOmini™ SURFACE MOUNT  
SILICON DUAL TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMLT5078E, CMLT5087E, and CMLT5088E,  
are Silicon transistors in a PICOmini™ surface  
mount package with enhanced specifications  
designed for applications requiring high gain and  
low noise.  
MARKING CODE & CONFIGURATION:  
CMLT5078E: DUAL, COMPLEMENTARY: L78  
CMLT5087E: DUAL, PNP: L87  
SOT-563 CASE  
CMLT5088E: DUAL, NPN: L88  
o
MAXIMUM RATINGS: (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
50  
50  
5.0  
100  
350  
V
V
♦
♦
♦
CBO  
V
CEO  
V
V
EBO  
I
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
C
J
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25 C unless otherwise noted)  
A
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
50  
50  
UNITS  
nA  
nA  
V
V
V
mV  
mV  
mV  
I
I
V
V
=20V  
=3.0V  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
EB  
BV  
BV  
♦ BV  
V
V
V
h
I =100µA  
C
50  
50  
5.0  
135  
65  
8.7  
45  
110  
700  
430  
435  
430  
125  
150  
105  
7.5  
50  
225  
700  
390  
380  
350  
75  
♦
♦
I =1.0mA  
C
I =100µA  
E
EBO  
I =10mA, I =1.0mA  
100  
400  
800  
900  
♦
♦♦  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
ib  
C
B
B
B
I =100mA, I =10mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
V
=5.0V, I =0.1mA  
C
300  
300  
300  
50  
♦
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
h
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
h
h
f
C
C
=5.0V, I =10mA  
C
♦
♦♦  
♦
=5.0V, I =100mA  
C
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
C
100  
MHz  
pF  
pF  
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
1400  
3.0  
E
C
C
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ f=10Hz to 15.7kHz  
h
NF  
350  
fe  
dB  
S
♦
Enhanced specification.  
♦ ♦ Additional Enhanced specification.  
R2 (13-November 2002)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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