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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT5554PBFREE#N/A
CMLT5554PBFREE#N/A PDF预览

CMLT5554PBFREE#N/A

更新时间： 2024-11-01 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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CMLT5554PBFREE#N/A 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
Base Number Matches：1

CMLT5554PBFREE#N/A 数据手册

 浏览型号CMLT5554PBFREE#N/A的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT5554  
Central  
SURFACE MOUNT  
Semiconductor Corp.  
TM  
PICOmini  
DUAL,COMPLEMENTARY  
HIGH VOLTAGE  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMLT5554  
consists of one 2N5551 NPN silicon transistor  
and one individual isolated complementary  
2N5401 PNP silicon transistor, manufactured  
by the epitaxial planar process and epoxy  
molded in an SOT-563 surface mount package.  
This PICOmini™ device has been designed for  
high voltage amplifier applications.  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODE: 5C4  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
NPN (Q1)  
180  
PNP (Q2)  
160  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
160  
150  
V
6.0  
5.0  
V
mA  
mW  
I
600  
350  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
µA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=120V  
=100V  
-
-
50  
-
-
-
-
50  
-
50  
-
-
-
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
-
240  
-
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
CB  
CB  
CB  
CB  
=120V, T =100°C  
-
50  
-
-
A
=100V, T =150°C  
I =100µA  
-
-
A
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
180  
160  
6.0  
-
-
160  
150  
5.0  
-
C
I =1.0mA  
-
V
C
I =10µA  
-
V
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.2  
1.0  
1.0  
-
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
100  
-
50  
60  
50  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
-
300  
6.0  
200  
8.0  
C
=5.0V, I =50mA  
C
f
V
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100 300  
-
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
6.0  
200  
8.0  
ob  
CB  
E
h
V
CE  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
-
40  
fe  
NF  
CE  
C
V
=5.0V, I =200µA, R =10Ω,  
dB  
C
S
f=10Hz to 15.7kHz  
R0 (26-October 2004)  
12

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与CMLT5554PBFREE#N/A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT5554TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTI
CMLT591E CENTRAL

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 		PNP Low VCE(Sat) 1.0 Amp transistor
CMLT591E_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CMLT591ELEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
CMLT591ETR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
CMLT591ETRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMLT591ETRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT6427E CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT, PICOmini SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR
CMLT6427E_10 CENTRAL

获取价格

 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN DARLINGTON SILICON TRANSISTOR
CMLT6427EBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO

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