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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> CMLT6427E
CMLT6427E PDF预览

CMLT6427E

更新时间： 2024-11-01 03:26:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT, PICOmini SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR

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CMLT6427E 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Active
包装说明：,针数：6
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
Base Number Matches：1

CMLT6427E 数据手册

 浏览型号CMLT6427E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT6427E  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT, PICOminiTM  
SILICON NPN DARLINGTON  
TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT6427E is an  
Enhanced Specification, PICOmini™, NPN Silicon  
Darlington Transistor. High DC Current gains, coupled  
with a Low Saturation Voltage, make this an excellent  
choice for industrial/consumer applications where  
operational efficiency and small size are top priority.  
C
C
E
C
C
B
MARKING CODE : C64  
SOT-563 CASE  
APPLICATIONS:  
FEATURES:  
HIGH CURRENT (500mA MAX)  
•
MOTOR DRIVERS  
HIGH DC CURRENT GAIN (15K MIN)  
•
•
RELAY DRIVERS  
LOW SATURATION VOLTAGE (V  
= 0.8V MAX)  
CE(SAT)  
•
•
•
•
PRE-AMPLIFIER INPUT APPLICATIONS  
HIGH INPUT IMPEDANCE  
•
VOLTAGE REGULATOR CONTROLS  
PICOmini™ SOT-563 SURFACE MOUNT PACKAGE  
•
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
♦Collector-Base Voltage  
V
60  
CBO  
♦Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
V
60  
40  
V
V
CES  
V
CEO  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
12  
V
EBO  
I
500  
350  
300  
150  
mA  
C
P
P
P
mW (Note 1)  
mW (Note 2)  
mW (Note 3)  
D
D
D
Power Dissipation  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
-65 to +150  
357  
°C  
J
stg  
Θ
°C/W (Note 1)  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
100  
100  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
V
I
V
V
V
=30V  
=25V  
=10V  
CBO  
CB  
CE  
BE  
♦I  
CEO  
I
EBO  
♦BV  
♦BV  
BV  
I =100µA  
60  
60  
40  
CBO  
CES  
CEO  
C
I =100µA  
C
V
I =10mA  
V
C
♦Enhanced Specification  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R0 (18-October 2005)  
12

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与CMLT6427E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT6427E_10 CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN DARLINGTON SILICON TRANSISTOR
CMLT6427EBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
CMLT6427EBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT6427EPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMLT6427EPBFREE#N/A CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMLT6427ETRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT7410 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PICOmini DUAL LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
CMLT7410BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLT7410G CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-
CMLT7410TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP

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