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Datasheet > CMLT5554TR
CMLT5554TR PDF预览

CMLT5554TR

更新时间： 2024-11-01 20:05:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 576K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, PICOMINI-6

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CMLT5554TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMLT5554TR 数据手册

 浏览型号CMLT5554TR的Datasheet PDF文件第2页 
CMLT5554  
SURFACE MOUNT  
DUAL,COMPLEMENTARY  
HIGH VOLTAGE  
www.centralsemi.com  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5554  
consists of one 2N5551 NPN silicon transistor and one  
individual isolated complementary 2N5401 PNP silicon  
transistor, manufactured by the epitaxial planar process  
and epoxy molded in an SOT-563 surface mount  
package. This PICOmini™ device has been designed  
for high voltage amplifier applications.  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODE: 5C4  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
NPN (Q1)  
180  
PNP (Q2)  
160  
UNITS  
V
A
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
160  
150  
V
6.0  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
350  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
μA  
μA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=120V  
=100V  
-
-
50  
-
-
-
-
50  
-
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
=120V, T =100°C  
-
50  
-
-
A
=100V, T =150°C  
-
-
50  
-
A
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
180  
160  
6.0  
-
-
160  
150  
5.0  
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =10μA  
-
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.2  
1.0  
1.0  
-
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
-
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
100  
-
50  
60  
50  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
-
240  
-
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
f
V
=10V, I =10mA, f=100MHz  
300  
6.0  
200  
100 300  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
-
6.0  
ob  
CB  
E
h
V
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
40  
200  
fe  
NF  
CE  
C
V
=5.0V, I =200μA, R =10Ω,  
CE  
f=10Hz to 15.7kHz  
C S  
-
8.0  
-
8.0  
dB  
R1 (20-January 2010)  
12

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