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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMLT5554BKPBFREE
CMLT5554BKPBFREE PDF预览

CMLT5554BKPBFREE

更新时间： 2024-09-14 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP,

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CMLT5554BKPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)：60最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN/PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMLT5554BKPBFREE 数据手册

 浏览型号CMLT5554BKPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLT5554  
Central  
SURFACE MOUNT  
Semiconductor Corp.  
TM  
PICOmini  
DUAL,COMPLEMENTARY  
HIGH VOLTAGE  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMLT5554  
consists of one 2N5551 NPN silicon transistor  
and one individual isolated complementary  
2N5401 PNP silicon transistor, manufactured  
by the epitaxial planar process and epoxy  
molded in an SOT-563 surface mount package.  
This PICOmini™ device has been designed for  
high voltage amplifier applications.  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODE: 5C4  
SOT-563 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
NPN (Q1)  
180  
PNP (Q2)  
160  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
160  
150  
V
6.0  
5.0  
V
mA  
mW  
I
600  
350  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
µA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=120V  
=100V  
-
-
50  
-
-
-
-
50  
-
50  
-
-
-
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
-
240  
-
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
CB  
CB  
CB  
CB  
=120V, T =100°C  
-
50  
-
-
A
=100V, T =150°C  
I =100µA  
-
-
A
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
180  
160  
6.0  
-
-
160  
150  
5.0  
-
C
I =1.0mA  
-
V
C
I =10µA  
-
V
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.2  
1.0  
1.0  
-
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
100  
-
50  
60  
50  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
-
300  
6.0  
200  
8.0  
C
=5.0V, I =50mA  
C
f
V
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100 300  
-
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
6.0  
200  
8.0  
ob  
CB  
E
h
V
CE  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
-
40  
fe  
NF  
CE  
C
V
=5.0V, I =200µA, R =10Ω,  
dB  
C
S
f=10Hz to 15.7kHz  
R0 (26-October 2004)  
12

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与CMLT5554BKPBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLT5554LEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMLT5554PBFREE#N/A CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMLT5554TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTI
CMLT591E CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,
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 		Transistor
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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT, PICOmini SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR

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