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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 450 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 3550 ns | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJE18008G | ONSEMI |
功能相似  |
NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications |
|
| BUH150G | ONSEMI |
功能相似 |
SWITCHMODE NPN Silicon Planar Power Transistor |
|
| BU2508AW | NXP |
功能相似 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUL510_03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
|
| BUL51A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 30A I(C) | SOT-93 |
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| BUL51B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 40A I(C) | SOT-93 |
|
| BUL52 | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL52A | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL52AFI | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL52ASMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUL52B | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| BUL52B | JMNIC |
获取价格 |
Silicon Power Transistors |
|
| BUL52B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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