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BUL54ASMD

更新时间： 2024-09-25 22:17:31
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SEME-LAB 晶体晶体管开关高压
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUL54ASMD 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.91Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BUL54ASMD 数据手册

 浏览型号BUL54ASMD的Datasheet PDF文件第2页 
BUL54ASMD  
ADVANCED  
DISTRIBUTED BASE DESIGN  
HIGH VOLTAGE  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
HIGH SPEED NPN  
0
.
8
9
(
0
.
0
3
5
)
SILICON POWER TRANSISTOR  
•SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE  
m
i
n
.
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
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.
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1
4
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6
4
)
)
3
3
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.
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(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
.
6
0
(
0
M
a
x
.
•HIGH VOLTAGE  
1
3
•FAST SWITCHING (t = 40ns)  
f
•EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE  
PERFORMANCE  
2
•HIGH ENERGY RATING  
•EFFICIENT POWER SWITCHING  
•MILITARY AND HI–REL OPTIONS  
9
9
.
.
6
3
7
8
(
(
0
0
.
.
3
3
8
6
1
9
)
)
FEATURES  
0
0
.
.
5
2
0
6
1
1
1
1
.
.
5
2
8
8
(
(
0
0
.
.
4
4
5
4
6
4
)
)
• Multi–base design for efficient energy  
distribution across the chip resulting in  
significantly improved switching and energy  
ratings across full temperature range.  
SMD1 Package  
Pad 1 – Base  
Pad 2 – Collector  
Pad 3 – Emitter  
• Ion implant and high accuracy masking for  
tight control of characteristics from batch to  
batch.  
• Triple Guard Rings for improved control of  
high voltages.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Collector – Base Voltage  
1000V  
500V  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector – Emitter Voltage (I = 0)  
B
Emitter – Base Voltage  
Collector Current  
10V  
I
I
I
2A  
C
Peak Collector Current  
Base Current  
4A  
C(PK)  
B
0.8A  
P
Total Dissipation at T  
= 25°C  
35W  
tot  
case  
Derate above 25°C when used on efficient heatsink  
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance Junction – Case  
0.2W/°C  
–65 to 200°C  
3.5°C/W  
T
stg  
R
th  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 7/00  
12

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