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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUL54BFI | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL54BSMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUL55A | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL55ASMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUL55B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL55BSMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUL56A | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| BUL56ASMD | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
|
| BUL56B | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BUL56B | JMNIC |
获取价格 |
Silicon Power Transistors |
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