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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 90 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUL58D | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| BUL58D_01 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| BUL59 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| BUL59 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BUL62A | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL62B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL63A | SEME-LAB |
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ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN |
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| BUL63B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL642D2 | ONSEMI |
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High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector−Emitter and B |
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| BUL642D2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector−Emitter and B |
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