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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUL62B | SEME-LAB |
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ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL63A | SEME-LAB |
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ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN |
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| BUL63B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL642D2 | ONSEMI |
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High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector−Emitter and B |
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| BUL642D2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Integrated Collector−Emitter and B |
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| BUL64A | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL64B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BUL654 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| BUL65A | SEME-LAB |
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ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN |
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| BUL65B | SEME-LAB |
获取价格 |
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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