BUL705

更新时间： 2024-11-14 03:23:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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11页	270K
描述
High voltage fast-switching NPN Power Transistor

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BUL705 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	16
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUL705 数据手册

BUL705

High voltage fast-switching NPN Power Transistor

General features

■ NPN Transistor

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ Fully characterized at 125 °C

■ In compliance with the 2002/93/EC European

TO-220

Directive

Description

The device is manufactured using high voltage

Multi-Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

Internal schematic diagram

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintaining the wide RBSOA.

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

■ Dedicated for PFC solution in HF ballast half-

bridge voltage fed

Order codes

Part Number

Marking

Package

TO-220

Packing

BUL705

Tube

May 2006

Rev 1

1/11

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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