BUL770

更新时间： 2024-11-14 03:23:11

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUL770 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	2
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUL770 数据手册

BUL770

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

●

Designed Specifically for High Frequency

Electronic Ballasts up to 50 W

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

7 to 21 at V = 1 V, I = 800 mA

FE CE C

Low Power Losses (On-state and Switching)

Key Parameters Characterised at High

Temperature

●

Tight and Reproducible Parametric

Distributions

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

absolute maximum ratings at 25°C ambient temperature (unless otherwise noted )

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage (V_BE= 0)

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

Emitter-base voltage

V_CES

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

700

400

Continuous collector current

Peak collector current (see Note 1)

Peak collector current (see Note 2)

Continuous base current

2.5

I_CM

I_B

1.5

Peak base current (see Note 2)

I_BM

2.5

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature

Operating junction temperature range

P_tot

T_j

°C

-65 to +150

Storage temperature range

T_stg

NOTES: 1. This value applies for t_p= 10 ms, duty cycle ≤ 2%.

2. This value applies for t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2%.

JULY 1991 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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