BUL805

更新时间： 2024-11-14 03:23:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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描述
High voltage fast-switching NPN Power Transistor

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BUL805 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.81	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUL805 数据手册

BUL805

High voltage fast-switching NPN Power Transistor

Preliminary Data

General features

■ NPN Transistor

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ In compliance with the 2002/93/EC European

Directive

TO-220

Description

The device is manufactured using high voltage

Multi-Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

Internal schematic diagram

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds.

The device is designed for use as PFC in high

frequency ballast half Bridge voltage fed topology.

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

■ Dedicated for PFC solution in half-bridge

voltage fed topology.

Order codes

Part Number

Marking

Package

TO-220

Packing

BUL805

Tube

May 2006

Rev 1

1/8

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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