BUL742C

更新时间： 2024-11-14 06:44:39

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2页	232K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BUL742C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BUL742C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUL742C

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO= 400V(Min.)

·Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 0.2V(Max) @ I_C= 0.8A

APPLICATIONS

·Designed for electronic lamp ballast circuits switch-mode

power supplies applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEW

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

900

500

400

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-peak

Base Current-Continuous

Base Current-peak

I_CM

7.5

I_B

2.5

I_BM

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

150

-65~150

T_i

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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