BUL742

更新时间： 2024-11-13 22:39:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUL742 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUL742 数据手册

BUL742

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLE OPERATION

■

VERY HIGH SWITCHING SPEED

LARGE RBSOA

APPLICATIONS

■

ELECTRONIC BALLAST FOR

FLUORESCENT LIGHTING

■

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

TO-220

DESCRIPTION

The BUL742 is manufactured using high voltage

Multi Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and high voltage capability.

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintening the wide RBSOA.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

Thanks to an increased intermediate layer, it has

an intrinsic ruggedness which enables the

transistor to withstand an high collector current

level during breakdown condition, without using

the transil protection usually necessary in typical

converters for lamp ballast.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Value

900

Unit

V_CEO

400

V_EBO

Emitter-Base Voltage

BV_EBO

(I_C= 0, I_B= 0.75 A, t_p< 10µs, T_j< 150^oC)

I_C

I_CM

I_B

Collector Current

Collector Peak Current (t_p<5 ms)

Base Current

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base Peak Current (t_p<5 ms)

Total Dissipation at Tc = 25 ^oC

Storage Temperature

^oC

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/5

June 2001

12 3 4 5

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BUL742 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUL742C	STMICROELECTRONICS	类似代替	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL742A	STMICROELECTRONICS	类似代替	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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