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BUL57FP

更新时间： 2024-11-13 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体开关晶体管高压
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS

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BUL57FP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.74
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：6JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUL57FP 数据手册

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BUL57  
BUL57FP  
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING  
NPN POWER TRANSISTORS  
■
STMicroelectronics PREFERRED  
SALESTYPES  
■
■
■
■
NPN TRANSISTORS  
HIGH VOLTAGE CAPABILITY  
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS  
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR  
RELIABLEOPERATION  
■
■
■
■
VERY HIGH SWITCHING SPEED  
FULLY CHARACTERIZED AT 125oC  
LARGE RBSOA  
3
3
2
2
1
1
TO-220FP FULLY ISOLATED PACKAGE  
(U.L. COMPLIANT)  
TO-220  
TO-220FP  
APPLICATIONS:  
■
ELECTRONIC BALLASTSFOR  
FLUORESCENT LIGHTING  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
The devices are manufacturedusing high voltage  
Multi Epitaxial Planar technology for high  
switching speeds and medium voltage capability.  
They use a Cellular Emitter structure with planar  
edge termination to enhance switching speeds.  
The devices are designed for use in lighting  
applications and low cost switch-mode power  
supplies.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
BUL57  
BUL57FP  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
700  
400  
9
V
V
V
8
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current (tp < 5 ms)  
Base Current  
16  
4
A
A
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base Peak Current (tp < 5 ms)  
7
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
85  
35  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/7  
January 1999  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUL57PI ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | SOT-186
BUL58 SEME-LAB

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