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BUL53ASMD

更新时间： 2024-09-26 09:02:27

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SEME-LAB		晶体晶体管装置
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描述
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed

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BUL53ASMD 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.91	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-276AB	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

BUL53ASMD 数据手册

BUL53ASMD

Dimensions in mm (inches).

Bipolar NPN Device in a

Hermetically sealed

Ceramic Surface Mount

Package for High

0.89

(0.035)

min.

3.70 (0.146)

3.41 (0.134)

3.70 (0.146)

3.41 (0.134)

3.60 (0.142)

Max.

Reliability Applications

Bipolar NPN Device.

V_CEO= 300V

I_C= 10A

9.67 (0.381)

9.38 (0.369)

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

0.50 (0.020)

0.26 (0.010)

11.58 (0.456)

11.28 (0.444)

JANTX, JANTXV and JANS specifications

SMD1 (TO276AB)

PINOUTS

1 – Base

2 – Collector

3 – Emitter

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

300

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

@ 5/1 (V_CE/ I_C)

f_t

20M

P_D

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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BUL53B	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL53BSMD	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54A	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54AFI	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54ASMD	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54A-TO5	SEME-LAB	获取价格	SILICON POWER NPN TRANSISTOR
BUL54B	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54BFI	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
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