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BUL53BSMD

更新时间： 2024-09-25 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关高压
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUL53BSMD 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.91
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BUL53BSMD 数据手册

 浏览型号BUL53BSMD的Datasheet PDF文件第2页 
BUL53BSMD  
ADVANCED DISTRIBUTED  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
BASE DESIGN  
HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN  
SILICON POWER TRANSISTOR  
0
.
8
9
(
0
.
0
3
5
)
• CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE  
m
i
n
.
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
3
.
.
7
4
0
1
(
(
0
0
.
.
1
1
4
3
6
4
)
)
3
.
6
0
(
0
.
1
4
2
)
M
a
x
.
• FULL MIL/AEROSPACE TEMPERATURE  
RANGE  
1
3
• SCREENING OPTIONS FOR MILITARY AND  
SPACE APPLICATIONS  
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE  
• HIGH VOLTAGE (V  
= 800V)  
2
CBO  
• FAST SWITCHING (t = 100ns)  
f
• HIGH ENERGY RATING  
9
9
.
.
6
3
7
8
(
(
0
0
.
.
3
3
8
6
1
9
)
)
FEATURES  
• Multi-Base design for efficient energy  
distribution across the chip.  
0
0
.
.
5
2
0
6
)
)
(
(
0
0
.
.
0
0
2
1
0
0
1
1
1
1
.
.
5
2
8
8
(
(
0
0
.
.
4
4
5
4
6
4
)
)
SMD1  
• SIgnificantly improved switching and energy  
ratings across full temperature range.  
Pad 1 – Base  
Pad 2 – Collector  
Pad 3 – Emitter  
• Ion implant and high accuracy masking for  
tight control of characteristics from batch to  
batch.  
• Triple guard rings for improved control of  
high voltages.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
I
Collector – Base Voltage  
500V  
250V  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector – Emitter Voltage (I = 0)  
B
Emitter – Base Voltage (I = 0)  
10V  
C
Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
12A  
C
I
I
20A  
C(PK)  
B
3A  
P
Power Dissipation  
60W  
D
R
T
Thermal Impedance (when mounted on thermally conducting PCB)  
Maximum Junction Temperature  
3.0°C/W  
200°C  
–55 to +200°C  
?
j
T
Storage Temperature Range  
stg  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 7/00  
12

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